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周期之间等待的时间，使在本周期的数据还未完成时即可进行下一周期的传送，以加快CPU数据的处理。EDO DRAM目前广泛应用于计算机主板上，几乎完全取代了FPM DRAM，工作电压一般为5V，接口方式为72线（SIMM），也有168线（DIMM）。
BEDO DRAM（Burst EDO DRAM），即突发式EDO DRAM。是一种改良式EDO DRAM。它和EDO DRAM不同之处是EDO DRAM一次只传输一组数据，而BEDO DRAM则采用了"突发"方式运作，一次可以传输"一批"数据，一般BEDO DRAM能够将EDO DRAM的性能提高40%左右。由于SDRAM的出现和流行，使BEDO DRAM的社会需求量降低。
SDRAM（Synchronous DRAM）即同步DRAM。目前十分流行的一种内存。工作电压一般为3.3V，其接口多为168线的DIMM类型。它最大的特色就是可以与CPU的外部工作时钟同步，和我们的CPU、主板使用相同的工作时钟，如果CPU的外部工作时钟是100MHZ，则送至内存上的频率也是100MHZ。这样一来将去掉时间上的延迟，可提高内存存取的效率。
REGISTERED 内存
Register IC 内存条底部较小的集成电路芯片(2-3片), 起提高驱动能力的作用。服务器产品需要支持大容量的内存，单靠主板信号线的电流无法驱动如此大容量的内存，而使用带Register的内存条，通过Register IC提高驱动能力，使服务器可支持高达32GB的内存。
ECC内存
错误检查与校正内存(ECC)提供了一个强有力的数据纠正系统。ECC内存不仅能检测一位错，而且它能定位错误和在传输到CPU 之前纠正错误，将正确的数据传输给CPU。允许系统进行不间断的正常的工作，ECC内存能检测到多位错（而奇偶校验内存就不能达到这一点）并能在检测到多位错时产生报警信息，但它不能同时更正多位错。
ECC的工作过程是这样的：当数据写到内存中时，ECC将数据的一个附加位加识别码，当数据被回写时，存储的代码和原始的代码相比较，如果代码不一致，数据就被标记为"坏码"，然后坏码会被纠正，并传输到CPU中，如果检测到多位错时，系统就会发出报警信息。
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