供求英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块
深圳市明佳达电子供应及求购英飞凌 F4-8MR12W2M1H-B70, F4-8MR12W2M1H 碳化硅 MOSFET 模块描述：
这款1200 V EasyPACK™ 2B CoolSiC™ MOSFET 8 mΩ G1 H桥模块，带 NTC温度传感器，采用PressFIT压接技术和氮化铝陶瓷材料。
特征描述：
[*]出色封装，高度达12 mm
[*]先进的宽禁带（WBG）半导体材料
[*]非常低的模块杂散电感
[*]增强的第一代CoolSiC™ MOSFET
[*]更大的栅极驱动电压范围
[*]栅源电压：+23 V和-10 V
[*]工作结温（Tvjop）：过载条件下高达175°C
[*]PressFIT压接引脚
[*]集成了NTC温度传感器
优势
[*]优异的模块效率
[*]系统成本优势
[*]提升系统效率
[*]降低散热需求
[*]可实现更高的频率
[*]提高功率密度
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