原装【ON】NVMFS5C410NWFAFT1G MOSFET - 功率，单 N 沟道
明佳达电子供应全新原装【ON】NVMFS5C410NWFAFT1G MOSFET - 功率，单 N 沟道 40 V，0.92 m，300 A特点
[*]占用空间小（5x6 毫米），设计紧凑
[*]低 RDS(on)，将传导损耗降至最低
[*]低 QG 和电容，将驱动器损耗降至最低
[*]NVMFS5C410NWF - 用于增强光学检测的可湿侧面选件
[*]通过 AEC-Q101 认证并可执行 PPAP
[*]这些器件无铅，符合 RoHS 规范
介绍
安森美半导体Trench6 N沟道MV MOSFET是采用先进的功率沟槽工艺（结合屏蔽栅极技术）生产的30V、40V和60V MOSFET。该工艺经过优化，可最大限度地降低导通电阻，另外还采用出色的软体二极管，可保持卓越的开关性能。
产品属性：NVMFS5C410NWFAFT1G
制造商: onsemi产品种类: MOSFET技术: Si安装风格: SMD/SMT封装 / 箱体: SO-8FL晶体管极性: N-Channel通道数量: 1 ChannelVds-漏源极击穿电压: 40 VId-连续漏极电流: 300 ARds On-漏源导通电阻: 760 uOhmsVgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压: 3.5 VQg-栅极电荷: 86 nC最小工作温度: - 55 C最大工作温度: + 175 CPd-功率耗散: 166 W通道模式: Enhancement资格: AEC-Q101系列: NVMFS5C410N配置: Single下降时间: 173 ns正向跨导 - 最小值: 190 S产品类型: MOSFET上升时间: 162 ns工厂包装数量: 1500子类别: MOSFETs晶体管类型: 1 N-Channel典型关闭延迟时间: 227 ns典型接通延迟时间: 54 ns单位重量: 187 mg
页:
[1]