(MOSFET)供求UF3C065040K4S、UF3C065040T3S 650 V, 42 mohm SiC FET
明佳达电子 星际金华 供求(MOSFET) UF3C065040K4S、UF3C065040T3S 650 V, 42 mohm SiC FET，公司只回收正规渠道货源，不接受不是正规渠道货源，详情请联系陈先生qq 1668527835 咨询。概述
UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准栅极驱动的应用。
典型应用包括电动汽车充电、光伏逆变器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热。
UF3C065040K4S650 V, 42 mohm SiC FET TO-247-4
规格
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：54 A
Rds On-漏源导通电阻：52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：43 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：326 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UF3C
配置：Single
晶体管类型：1 N-Channel
单位重量：6 g
UF3C065040T3S 650 V, 42 mohm SiC FET TO-220-3L
规格
技术：SiC
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-220-3
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：54 A
Rds On-漏源导通电阻：52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：51 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 175°C
Pd-功率耗散：326 W
通道模式：Enhancement
资格：AEC-Q101
商标名：SiC FET
系列：UF3C
配置：Single
单位重量：2 g
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