静态随机存取存储器SRAM CY62177G30-55BKXI CY62167GN30-45BVXI（全新）
明佳达电子 星际金华 优势出静态随机存取存储器SRAM CY62177G30-55BKXI CY62167GN30-45BVXI，如有需求请联系陈先生qq 1668527835 咨询。我们大量回收存储器芯片，如您有多余的库存需要处理。欢迎把库存清单发送到： chen13410018555@163.com 邮箱上，有专业人员免费评估。CY62177G30-55BKXI是高性能CMOS、低功耗(MoBL ) SRAM器件，内置ECC。MOBL™超可靠异步SRAM的性能可满足各种高可靠性工业、通信、数据处理、医疗、消费和军事应用的需求。
规格
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
技术：SRAM - 异步
存储容量：32Mb
存储器组织：2M x 16
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：55ns
访问时间：55 ns
电压 - 供电：2.2V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TFBGA
供应商器件封装：48-FBGA（6x8）
CY62167GN30-45BVXI是一款高性能CMOS静态RAM，由16位1M字或8位2M字组成。该器件采用先进的电路设计，可提供超低有效电流。超低有效电流非常适合在手机等便携式应用中提供更长的电池寿命(MoBL)。
规格
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
技术：SRAM - 异步
存储容量：16Mb
存储器组织：1M x 16
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：45ns
访问时间：45 ns
电压 - 供电：2.2V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-VFBGA
供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）
基本产品编号：CY62167
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