CoolSiC™ MOSFET（400 V ）IMT40R011M2H/IMT40R015M2H 采用 PG-HSOF-8 封装
明佳达公司进口原装推出英飞凌CoolSiC™ MOSFET（400 V ）IMT40R011M2H/IMT40R015M2H 采用 TOLL (PG-HSOF-8) 封装概述
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 将高坚固性与超低开关损耗和导通电阻结合在一起，同时改善了系统成本。
其开发目的是在 2 级和 3 级硬开关和软开关拓扑结构中提供出色的功率密度和系统效率。
特征描述
与 650 V SiC MOSFET 相比，FOM 更好
具有低 Qfr 的快速换向稳健二极管
低 RDS（导通）温度依赖性
栅极阈值电压 VGS(th) = 4.5 V
支持单极驱动（VGSoff=0）
100% 通过雪崩测试
开关速度可控性高
高 dV/dt 工作期间过冲小
.XT 互连技术
一流的热性能
优势
系统效率高
高功率密度设计
设计稳健性高
减少 EMI 滤波
可用于硬开关拓扑
适用于人工智能服务器 PSU、SMPS、电机控制、可再生能源和储能以及 D 类放大器中的功率转换。
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