（ 650 V）ST晶体管 STGWA40HP65FB2 IGBT 沟槽型场截止
深圳市明佳达电子原装现货出售ST晶体管 STGWA40HP65FB2 650 V、40 A高速沟槽栅场截止HB2系列IGBT，TO-247长引线封装描述
最新的 IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽栅场停结构的发展。由于在低电流值时具有更好的 VCE（饱和）特性，HB2 系列在传导方面的性能得到了优化，同时还降低了开关能量。一个仅用于保护目的的二极管与 IGBT 反并联封装。因此，该产品专门设计用于最大限度地提高各种快速应用的效率。
产品属性
STGWA40HP65FB2—IGBT 沟槽型场截止 650 V 72 A 227 W 通孔 TO-247 长引线
类别： 分立半导体产品制造商： STMicroelectronics系列： HB2包装： 管件零件状态： 在售IGBT 类型： 沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 72 A电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2V @ 15V，40A功率 - 最大值： 227 W开关能量： 410µJ（关）输入类型： 标准栅极电荷： 153 nC25°C 时 Td（开/关）值： -/125ns测试条件： 400V，40A，4.7 欧姆，15V反向恢复时间 (trr)： 140 ns工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装/外壳： TO-247-3供应商器件封装： TO-247 长引线
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