150V，IQD063N15NM5CGSC、IQD063N15NM5SC全新的OptiMOS™功率MOSFET
新型 MOSFET 功率 OptiMOS™5 150 V 特别适合叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及通信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 RDS(on)和 Qrr，而不影响 FOMgd 和 FOMOSS，从而在优化系统效率的同时有效减少设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（在 SuperSO8 中， Qrr最低值 = 26 nC）提高了换流坚固性。借助OptiMO™ 5 150 V 技术，尺寸较小的、同类中较为出色的SuperSO8 (PQFN 5x6) 封装设备能够取代TO-220器件。由于封装电感降低，该开关器件实现了更高的功率密度和更低的电压超调 (VDS)。
这些MOSFET 功率 OptiMOS™5 150 V 配有六个封装，不仅展现出较低的输出电荷和较高的开关频率，而且具有超低的反向恢复电荷 (Qrr)。因此，该器件减少了对并联的需求，使终端产品更加坚固，从而降低了整体系统成本。
明佳达电子、星际金华 供应/回收 - 150V，IQD063N15NM5CGSC、IQD063N15NM5SC全新的OptiMOS™功率MOSFET，陈先生qq 1668527835 欢迎详聊。
IQD063N15NM5CGSC：
产品种类：MOSFET
技术：Si
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PG-WHTFN-9
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续漏极电流：151 A
Rds On-漏源导通电阻：6.32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.6 V
Qg-栅极电荷：48 nC
工作温度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：Enhancement
IQD063N15NM5SC：
产品种类：MOSFET
技术：Si
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：PG-WHSON-8
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：150 V
Id-连续漏极电流：151 A
Rds On-漏源导通电阻：6.32 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4.6 V
Qg-栅极电荷：48 nC
工作温度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：Enhancement
应用：
低压驱动
多轴飞行器
汽车电池管理系统 (BMS)
轻型电动车
太阳能系统解决方案
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