出售S9S08DZ60F2CLF一款8位微控制器，IKW25N120H3一款1200 V的IGBT器件
S9S08DZ60F2CLF是一款8位微控制器（MCU），主要应用于需要高可靠性和高性能的嵌入式系统。该器件具有以下参数：内核规格：8位S08核心
最大主频：40MHz
程序存储容量：60KB（60K x 8）
RAM大小：4K x 8
I/O数量：39个
ADC位数：12位
工作电压：2.7V~5.5V
封装类型：LQFP-48（7x7mm）
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
此外，S9S08DZ60F2CLF适用于各种需要高可靠性和高性能的嵌入式系统，包括但不限于：
工业控制：自动化设备、机器人控制等
汽车电子：车载控制系统、发动机管理、ABS系统等
消费电子：智能家居、安防设备等
通信设备：无线通信模块、基站控制等
明佳达电子全新出售S9S08DZ60F2CLF一款8位微控制器，IKW25N120H3一款1200 V的IGBT器件
IKW25N120H3是一款1200 V的IGBT器件，采用TO-247封装，具有防并联二极管功能。该器件属于第四代硬开关TRENCHSTOP™ IGBT，与续流二极管联合封装在TO-247封装中，实现了开关和导通损耗之间的完美平衡。
基本参数
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，25A
功率 - 最大值：326 W
开关能量：2.65mJ
输入类型：标准
栅极电荷：115 nC
25°C 时 Td（开/关）值：27ns/277ns
测试条件：600V，25A，23 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：290 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
此外，IKW25N120H3适用于以下领域：
不间断电源（UPS）：提供稳定的电力供应。
电动汽车快速充电：支持电动汽车的快速充电需求。
工业加热和焊接解决方案：用于工业加热和焊接设备中。
太阳能系统：在太阳能逆变器中提供高效的能量转换。
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