介绍英飞凌OptiMOS™3 功率晶体管—IPB200N25N3G N-通道 250V 64A D2PAK-2
介绍—英飞凌OptiMOS™ 3 功率晶体管英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 是领先的功率 MOSFET，可提供最高功率密度和高能效解决方案。超低的栅极和输出电荷，以及小尺寸封装中最低的导通电阻，使其成为满足服务器、数据通信和电信应用中稳压器解决方案苛刻要求的理想选择。超快开关控制 FET 和低 EMI 同步 FET 可提供易于设计的解决方案。英飞凌 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET 可提供出色的栅极电荷，并针对 DC-DC 转换进行了优化。
特性
[*]N 沟道，正常电平
[*]极佳的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)
[*]极低的导通电阻 R DS(on)
[*]175 °C 工作温度
[*]无铅电镀；符合 RoHS 规范
[*]目标应用符合 JEDEC1 标准
[*]无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
[*]高频开关和同步整流的理想选择
应用
[*]DIN 导轨电源
[*]电动汽车 (EV) 传动系统
[*]通用电机驱动 - 变频和变压
[*]空间应用
IPB200N25N3G一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3 系列，专为高效率电源管理、电机驱动和工业控制应用而设计。
产品属性
[*]FET 类型 N 通道
[*]技术 MOSFET（金属氧化物）
[*]漏源电压（Vdss） 250 V
[*]25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 64A（Tc）
[*]驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
[*]不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 20 毫欧 @ 64A，10V
[*]不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 270µA
[*]不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 86 nC @ 10 V
[*]Vgs（最大值） ±20V
[*]不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7100 pF @ 100 V
[*]功率耗散（最大值） 300W（Tc）
[*]工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
[*]安装类型 表面贴装型
[*]供应商器件封装 PG-TO263-3
[*]封装/外壳 TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商：明佳达电子 型号：IPB200N25N3G 批次：新 类型：N通道 MOSFET产品状态：原装现货
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