LTM4702EY稳压器LTM4702IY、LTC7890RUJM 降压控制器 LTC7891RUFDM
明佳达电子、星际金华（供应及回收）ADI——LTM4702EY稳压器LTM4702IY、LTC7890RUJM 降压控制器 LTC7891RUFDM。【产品详情新消息】
LTM4702EY、LTM4702IY——16VIN 8A 超低噪声 Silent Switcher μModule 稳压器
概述：
LTM4702 是一款采用微型 6.25mm × 6.25mm × 5.07mm BGA 封装的完整 8A 降压型 Silent Switcher® μModule® 稳压器。封装内包括开关控制器、功率 MOSFET、电感器和配套组件。LTM4702 的工作输入电压范围为 3V 至 16V，它支持 0.3V 至 5.7V 的输出电压范围。通过单一电阻器来设置输出电压，从而在输出范围内提供统一增益工作，并导致与输出电压无关的几乎恒定的输出噪声。
关键特性：
在 <1cm2（单边 PCB）或 0.5cm2 （双边 PCB）的空间内提供完整的解决方案
低噪声 Silent Switcher 架构
超低 EMI 辐射
超低有效值噪声（10Hz 至 100kHz）：8μVRMS
整个线路、负载和温度范围内的最大总直流输出电压误差为 ±1.5%
输入电压范围：3V 至 16V
输出电压范围：0.3V 至 5.7V
最大连续输出电流为 8A
可调并且可同步：300kHz 至 3MHz
电流模式控制，快速瞬态响应
强制连续模式功能
多相并联均流
可编程电源正常
6.25mm × 6.25mm × 5.07mm BGA 封装
ADI LTC7890RUJM——用于 GaN FET 的低 IQ、双路、2 相同步降压控制器
概述：
LTC7890 是一款高性能、双降压型 DC/DC 开关稳压器控制器，通过高达 100V 的输入电压驱动所有 N 通道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级。LTC7890 解决了许多使用 GaN FET 时通常会面临的挑战。
关键特性：
为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
宽 VIN 范围：4V 至 100V
宽输出电压范围：0.8V ≤ VOUT ≤ 60V
无需环流、箝位或阴极负载二极管
内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
经过内部优化，智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
精确可调驱动器电压和 UVLO
低 IQ：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT，通道 1 开启）
可编程频率（100kHz 至 3MHz）
可同步频率（100kHz 至 3MHz）
展频 (SSFM)
40 引脚 (6mm × 6mm) 侧面可湿性 QFN 封装
ADI LTC7891RUFDM——用于GaN FET的100 V，低IQ同步降压控制器
LTC7891是一款高性能、降压DC/DC开关稳压器控制器，通过高达100 V的输入电压驱动所有N通道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7891解决了许多使用GaN FET时通常会面临的挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7891简化了应用设计，无需保护二极管和其他附加外部组件。
关键信息：
为 GaN FET 全面优化的 GDN 驱动器技术
宽 VIN 范围：4 V 至 100 V
宽输出电压范围：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
无需环流、箝位或阴极负载二极管
内部智能引导开关可防止高端驱动器电源过度充电
经过内部优化，智能近零停滞时间或电阻可调停滞时间
可调的开/关驱动器强度的分流输出栅极驱动器
精确可调驱动器电压和 UVLO
低工作 IQ：5 μA（48 VIN 至 5 VOUT）
可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
可锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
展频 (SSFM)
28 引脚 (4 mm × 5 mm) 侧面可湿性 QFN 封装
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