（供求）STGB20NB41LZT4，STGB10M65DF2，STGWA75M65DF2 [IGBT晶体管]

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STGB20NB41LZT4：IGBT 442V 40A 200W 表面贴装型 D2PAK
型号：STGB20NB41LZT4
封装：TO-263-3
类型：IGBT 晶体管
STGB20NB41LZT4 采用 D2PAK 封装的 N 通道 20A 内部箝位 PowerMESH IGBT 晶体管。
产品属性：
电压 - 集射极击穿（最大值）：442 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A
功率 - 最大值：200 W
开关能量：5mJ（开），12.9mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：46 nC
25°C 时 Td（开/关）值：1µs/12.1µs
测试条件：320V，20A，1 千欧，5V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK


STGB10M65DF2：IGBT 沟槽型场截止 650V 20A 115W 表面贴装型 D²PAK
型号：STGB10M65DF2
封装：TO-263-3
类型：单 IGBT晶体管
STGB10M65DF2 是一款采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT晶体管。该器件是 M 系列 IGBT 的一部分，650V，10A 低损耗，采用 D²PAK 封装。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，10A
功率 - 最大值：115 W
开关能量：120µJ（开），270µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：28 nC
25°C 时 Td（开/关）值：19ns/91ns
测试条件：400V，10A，22 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：96 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
供应商器件封装：TO-263（D2PAK）


STGWA75M65DF2：IGBT 沟槽型场截止 650V 120A 468W 通孔 TO-247 长引线
型号：STGWA75M65DF2
封装：TO-247-3
类型：IGBT晶体管
STGWA75M65DF2 是采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的 IGBT晶体管。该器件属于 M 系列 IGBT，650 V、75 A 低损耗，采用TO-247 长引线封装。
产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：468 W
开关能量：690µJ（开），2.54mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：225 nC
25°C 时 Td（开/关）值：47ns/125ns
测试条件：400V，75A，3.3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：165 ns
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247 长引线


深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件！
IGBT晶体管：STGB20NB41LZT4，STGB10M65DF2，STGWA75M65DF2 [供求]
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