三星(128GB) KM5L9000CM-B424_KM5L9001DA-B424 LPDDR5 uMCP 多制层封装芯片

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明佳达电子供应和收购三星存储芯片 KM5L9000CM-B424_KM5L9001DA-B424 LPDDR5 uMCP 多制层封装芯片

介绍：LPDDR5 uMCP 多制层封装芯片
1.集成带来旗舰性能
为人工智能 (AI) 和第五代移动通信技术 (5G) 的时代装备移动设备。动态随机存取存储器 (DRAM) 和 NAND 闪存整合在单一紧凑的封装内，提供旗舰级性能。LPDDR5 uMCP 带来了高带宽存储和内存，这对于智能手机、可穿戴设备和人工智能技术日益密集的数据需求至关重要。占用更少的空间，并为不断增长的 5G 世界提供能力。

2.为独创性腾出空间
由一个代替两个，因为第五代低功耗双倍速率同步动态随机存储器 (LPDDR5) 和 通用闪存存储 (UFS) 3.1 组合在一起，其印制电路板 (PCB) 面积更小。
通过释放 150mm² 的空间， 一体式封装可提供更灵活的 PCB 设计可能性。
额外的空间为提高电池容量和创造性设计腾出空间。

3.新一代性能
为用户提供高性能 LPDDR5 体验。 移动存储器速度提高 50％，可将数据传输速度提高到 6,400 兆比特/秒 (Mbps)。
无缝处理海量数据，以进行流畅的多任务处理。 出色的性能确保4K和6K的高分辨率显示屏上的内容都能栩栩如生。
甚至为游戏、流媒体和虚拟现实 (VR) 世界带来无卡顿的视觉效果。

产品型号：KM5L9000CM-B424_KM5L9001DA-B424
类型：LPDDR5 uMCP
品牌：SAMSUNG
年份：24+
封装：FBGA-254

规格
1、KM5L9000CM-B424

eStorage 密度：128 GB

eStorage 版本：UFS2.2

​DRAM 密度：48 Gb

DRAM 类型：LPDDR4X

封装：254 FBGA

速率：4266Mbps

2、KM5L9001DA-B424

eStorage 密度：128 GB

eStorage 版本：UFS2.2

​DRAM 密度：32 Gb

DRAM 类型：LPDDR4X

封装：254 FBGA

速率：4266Mbps

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