碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET，BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC

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1、NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET，采用标准7引脚TO-263塑料封装（用于表面贴装PCB技术），具有出色的RDSon 温度稳定性。该MOSFET非常适合用于大功率和高压工业应用，包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器。

规格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降时间：7 ns

Id-连续漏极电流：38 A

最大工作温度：+ 175°C

最小工作温度：- 55°C

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1 Channel

封装 / 箱体：TO-263-7

封装：Reel

封装：Cut Tape

封装：MouseReel

Pd-功率耗散：167 W

产品类型：SiC MOSFETS

Qg-栅极电荷：57 nC

Rds On-漏源导通电阻：60 mOhms

上升时间：9 ns

工厂包装数量：800

子类别：Transistors

技术：SiC

晶体管极性：N-Channel

典型关闭延迟时间：14 ns

典型接通延迟时间：12 ns

Vds-漏源极击穿电压：1.2 kV

Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压：2.9 V

明佳达电子 星际金华（供求）基于碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET，BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC，如您有多余的库存需要处理，欢迎把库存清单发送到：chen13410018555@163.com 。

2、BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC，非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。

特性：

Nano CAP™集成输出可选5V LDO

为工业应用提供长期支持产品

宽工作范围，适用于VDD 引脚电压

IN引脚电压的宽工作范围

低VDD 静态和工作电流

低传播延迟

高dv/dt抗噪性

可调栅极驱动器强度

电源良好信号输出

VDD UVLO保护

热关断保护

应用：

工业设备

电源与大功率密度

高效需求

桥拓扑结构如图腾柱PFC

LLC电源

适配器