IGBT模块 DF400R12KE3，IPF026N15NM6（MOSFET晶体管）ISC079N15NM6

mjddz

【供应，回收】IGBT模块 DF400R12KE3，IPF026N15NM6（MOSFET晶体管）ISC079N15NM6，明佳达电子，星际金华长期供求原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！


DF400R12KE3：62mm、1200V、400A 斩波器 IGBT 模块
型号：DF400R12KE3
封装：模块
类型：IGBT 模块
DF400R12KE3 - 产品属性：
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：单路
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：580 A
功率 - 最大值：2000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，400A
电流 - 集电极截止（最大值）：5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：28 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：模块

IPF026N15NM6：OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，150V 正常电平，采用 D²PAK 7 引脚封装
型号：IPF026N15NM6
封装：PG-TO263-7
类型：功率 MOSFET 晶体管
IPF026N15NM6 - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：25A (Ta), 239A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.5mOhm @ 100A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 276µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9900 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-3
封装/外壳：TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）

ISC079N15NM6 - OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，150V 正常电平，采用 SuperSO8 封装
型号：ISC079N15NM6
封装：功率 MOSFET 晶体管
类型：PG-TDSON-8
ISC079N15NM6 - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12.8A (Ta), 95A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7.4mOhm @ 36A, 15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 77µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2900 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：3W (Ta), 165W (Tc)
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8
封装/外壳：8-PowerTDFN

明佳达电子，星际金华【供应，回收】IGBT模块 DF400R12KE3，IPF026N15NM6（MOSFET晶体管）ISC079N15NM6。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！