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UG4SC 750V 组合FET在单个封装中集成了750V SiC JFET和低压Si MOSFET。该设计可实现常闭开关,同时受益于超低导通电阻[RDS(on)]和常开SiC JFET的稳健性。UG4SC组合FET非常适用于电路保护中的高能量开关。对于开关模式电源转换,该器件可单独访问JFET和MOSFET,从而增强速度控制并简化多个器件并联。
明佳达 星际金华 供求晶体管 UG4SC075009K4S UG4SC075005L8S- 750V 组合FET,陈先生qq 1668527835 期待与您合作。
UG4SC075009K4S的规格:
产品:Combo FET
技术:SiC
Vf - 正向电压:1.24 V
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 25 V
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-247-4
工作温度:- 55°C 至 + 175°C
系列:UG4S
下降时间:40 ns
Id-连续漏极电流:106 A
产品类型:Discrete Semiconductor Modules
Rds On-漏源导通电阻:8.8 mOhms
上升时间:25 ns
子类别:Discrete and Power Modules
典型关闭延迟时间:114 ns
典型接通延迟时间:24 ns
Vds-漏源极击穿电压:750 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V
UG4SC075005L8S(750V、5mΩ)的特征:
单数字RDS(on)
常闭功能
提高速度控制
改进了并行器件运行(3+ FET)
最高工作温度:+175°C
高脉冲电流能力
出色的器件稳健性
连接银烧结裸片,实现出色的热阻
短路额定
应用:
固态/半导体断路器
固态/半导体继电器
电池断开
浪涌保护
浪涌电流控制
大功率开关模式转换器(>25kW)
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