FXLS8961AFR1传感器，NVXK2VR40WXT2 碳化硅 (SiC) 模块 NXH040F120MNF1PG

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明佳达电子，星际金华【供应】【回收】原装库存器件：FXLS8961AFR1（MEMS 加速度传感器），NVXK2VR40WXT2 碳化硅 (SiC) 模块， NXH040F120MNF1PG 碳化硅 (SiC) MOSFET 模块，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！

FXLS8961AFR1：紧凑型三轴 MEMS 加速度传感器，QFN封装，间距为0.65mm，带有可润湿侧翼
型号：FXLS8961AFR1
封装：QFN-12
类型：三轴 MEMS 加速度传感器
FXLS8961AFR1 - 产品规格：
类型：模拟，数字
轴：X，Y，Z
加速度范围：±2g，4g，8g，16g
灵敏度 (LSB/g)：1024（±2g）~ 128（±16g）
带宽：1.6kHz
输出类型：I2C，SPI
电压 - 供电：1.71V ~ 3.6V
特性：可调带宽，可选量程
工作温度：-40°C ~ 105°C
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：12-LQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：12-DLQFN（3x3）

NVXK2VR40WXT2：碳化硅 (SiC) 模块 - 1200V，40mΩ，55A，三相桥式电源模块，具有温度传感器和最低热阻
型号：NVXK2VR40WXT2
封装：APM-32
类型：碳化硅 (SiC) 模块
NVXK2VR40WXT2 - 产品规格：
技术：碳化硅（SiC）
配置：6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能：碳化硅（SiC）
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：59 毫欧 @ 35A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：106nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1789pF @ 800V
功率 - 最大值：319W（Tc）
工作温度：55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：32-PowerDIP 模块（1.449"，36.80mm）
供应商器件封装：APM32

NXH040F120MNF1PG：1200V，40mohm，4N-通道 碳化硅 (SiC) MOSFET 模块
型号：NXH040F120MNF1PG
封装：PIM-22
类型：碳化硅 (SiC) MOSFET 模块
NXH040F120MNF1PG - 产品规格：
技术：碳化硅（SiC）
配置：4 个 N 通道
漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56 毫欧 @ 25A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：122.1nC @ 20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1505pF @ 800V
功率 - 最大值：74W（Tj）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：22-PIM（33.8x42.5）

明佳达电子，星际金华【供应，回收】FXLS8961AFR1（MEMS 加速度传感器），NVXK2VR40WXT2 碳化硅 (SiC) 模块， NXH040F120MNF1PG 碳化硅 (SiC) MOSFET 模块。
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