实物图IKW50N65WR5晶体管、IXTP160N10T MOSFET、BQ77PL900DLR电池管理

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IKW50N65WR5 高速 650 V、50 A 反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT，采用 TO-247 封装。反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT 采用经过优化的二极管，其额定值足以满足目标应用的要求。WR5 建议用于空调中的 PFC 阶段、焊接中的 DC/DC、UPS 中的 AC/DC，以及太阳能组串逆变器中的 MPPT。


型号：IKW50N65WR5
IGBT 类型： 沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.8V @ 15V，50A
功率 - 最大值： 282 W
开关能量： 840µJ（导通），220µJ（关断）
输入类型： 标准
栅极电荷： 230 nC
25°C 时 Td（开/关）值： 45ns/417ns
测试条件： 400V，25A，16 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)： 110 ns
工作温度： -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
供应商器件封装： PG-TO247-3

IXTP160N10T描述：
IXYS Gen1 沟槽栅功率 MOSFET 非常适合低电压/高电流应用，需要极低的 RDS(ON)，从而实现极低的功率耗散。此外，它们的工作结温范围很宽，从 -40°C 到 175°C，因此非常适合汽车应用和其他类似的严苛环境应用。
型号：IXTP160N10T
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：132 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6600 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：430W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220-3
封装/外壳：TO-220-3

BQ77PL900DLR是一款五到十节串联锂离子电池组保护器。通过集成的 I2C 通信接口，BQ77PL900DLR还可用作主机控制器的模拟前端 (AFE)。此外，还包括两个 LDO（一个 5 V/25 mA，一个 3.3 V/25 mA），可用于为主控制器或支持电路供电。
型号：BQ77PL900DLR
功能： 电池保护  
电池化学成份： 锂离子/聚合物  
电池数： 5 ~ 10  
故障保护： 过流，过/欠压，短路  
接口： I2C  
工作温度： -40°C ~ 100°C（TA）  
安装类型： 表面贴装型  
封装/外壳： 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）  
供应商器件封装： 48-SSOP
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