出MX29GL512GDT2I-11G一款NOR闪存芯片，IRFH7084TRPBF 40V 功率 MOSFET

mjd888

MX29GL512GDT2I-11G是一款 512 Mb NOR闪存芯片。主要特性包括：
2.7 至 3.6 伏电压用于读取、擦除和编程操作
64KW/128KB 统一等扇区架构
16 字页面读取缓冲区/256 字写入缓冲区
程序/擦除暂停和程序/擦除恢复

MX29GL512GDT2I-11G
类型: NOR闪存
封装 : TSOP-56
系列: MX29GL
存储容量: 512 Mbit
电源电压: 2.7 V 至 3.6 V
有源读取电流（最大值）: 30 mA
接口类型: Parallel
组织: 32 M x 16
数据总线宽度: 16 bit
定时类型: Asynchronous
工作温度: - 40°C 至 + 85°C

明佳达电子/星际金华出MX29GL512GDT2I-11G一款NOR闪存芯片，IRFH7084TRPBF 40V 功率 MOSFET，全新原装，价格合理，陈先生 13410018555 。
IRFH7084TRPBF为StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器在内的广泛应用。
型号：IRFH7084TRPBF
说明：采用 PQFN 5x6 封装的 40V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET

功能描述
行业标准表面贴装电源封装
产品认证符合 JEDEC 标准
针对开关频率低于 100 kHz 的应用进行了硅优化
与上一代硅相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合

优势
改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 强度
全面鉴定电容和雪崩 SOA
增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力
无铅，符合 RoHS 规范