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动态随机存取存储器MT47H64M16NF-25E:M和PSS15S92F6-AG

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[LV.100]试剑无线
发表于 2020-6-22 10:30 |显示全部楼层
动态随机存取存储器MT47H64M16NF-25E:M和PSS15S92F6-AG:

参数:

存储器类型        易失
存储器格式        DRAM
技术        SDRAM - DDR2
存储容量        1Gb (64M x 16)
存储器接口        并联
时钟频率        400MHz
写周期时间 - 字,页        15ns
访问时间        400ps
电压 - 电源        1.7V ~ 1.9V
工作温度        0°C ~ 85°C(TC)
安装类型        表面贴装型
封装/外壳        84-TFBGA
供应商器件封装        84-FBGA(8x12.5)


特征:

·Vop = + 1.8V±0.1V,VDDO = + 1.8V±0.1V
·JEDEC标准1.8V1 / O(SSTL_18兼容)
·差分数据选通(DQS,DQS#)选项
·4n位预取架构
·x8的重复输出选通(RDQS)选项
·DLI将DQ和DQS转换与CK对齐
·8个内部银行同时运作
·可编程CAS延迟(CL)
·发布CAS附加延迟(AL)
·WRITE延迟= READ延迟-1CK
·MT47H64M16NF-25E:M可选突发长度(BL):4或8
·可调节的数据输出驱动强度
·64ms,8192周期刷新
·片上终端(ODT)
·工业温度(IT)选项
·符合RoHS标准
·支持JEDEC时钟抖动规范


选项

·组态
-256Meg×4(32 Megx4x8组)256M4
-128 Megx8(16 Meg x8x8 bank)128M8-64Meg x16(8 Megx 16×8 bank)64M16
·FBGA封装(无铅)-x16
-84-ball FBGA(8mmx12.5mm)HR Rev.G.H
·FBGA封装(无铅) - ×4,x8
-60-ball FBGA(8mmx11.5mm)HQ Rev.G
·FBGA封装(无铅) - ×4,x8
-60-ball FBGA(8mmx 10mm)Rev.H CF.
·FBGA封装(铅焊料)-x16
-84-ball FBGA(8mmx12.5mm)Hw Rev.G,H
·FBGA封装(铅焊料) - ×4,x8
-60-球FBGA(8mmx11.5mm)HV Rev.G
·FBGA封装(铅焊料)-X4,x8
-60-ball FBGA(8mmx 10mm)ReV.H JN


更多详情,请咨询星际金华公司工作人员!

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发表于 2020-6-22 10:33 |显示全部楼层
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