N 通道 NTMFS4C05NT1G NTMFS4C55NT1G MOSFET 晶体管

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型号：NTMFS4C05NT1G、NTMFS4C55NT1G
封装：QFN8、DFN
批次：最新

参数

FET 类型 N 通道   

技术 MOSFET（金属氧化物）   

漏源电压（Vdss） 30 V   

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.9A（Ta）   

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V   

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 30A，10V   

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250μA   

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 nC @ 4.5 V   

Vgs（最大值） ±20V   

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1972 pF @ 15 V   

功率耗散（最大值） 770mW（Ta），33W（Tc）   

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   

安装类型 表面贴装型

应用

ORing

电机驱动器

DC-DC转换器

电源负载开关

电池管理

高端计算

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