IPD06P004N P沟道场效应管、S912XDT256F1MAL外部存储微控制器

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IPD06P004N 场效应管 MOSFET P-CH 60V 16.4A TO252-3

FET 类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：16.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 16.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 710μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1100 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号：IPD06P


特性——
p沟道
极低电阻RDS(on)
100%雪崩测试
正常水平
增强模式
无铅镀铅;通过无铅认证
符合IEC61249-2-21的无卤素




S912XDT256F1MAL 基于增强的S12核心，MC9S12XD系列将提供2至5倍于25 mhz S12的性能，同时保持与S12的高度引脚和代码兼容性。
S912XDT256F1MAL一般规格
核心处理器：HCS12X
内核规格：16 位
速度：80MHz
连接能力：CANbus，I2C，SCI，SPI
外设：LVD，POR，PWM，WDT
I/O 数：91
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：闪存
EEPROM 容量：4K x 8
RAM 大小：16K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：3.15V ~ 5.5V
数据转换器：A/D 16x12b
振荡器类型：外部
工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：112-LQFP（20x20）
基本产品编号：S912
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