通孔型NVHL040N120SC1、NVH4L060N090SC1 SiC（碳化硅）MOSFET器件

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深圳市明佳达电子有限公司/星际金华（供应、回收）通孔型NVHL040N120SC1、NVH4L060N090SC1 SiC（碳化硅）MOSFET器件，如有需要，欢迎联系陈先生qq 1668527835 咨询洽谈。



（1）NVHL040N120SC1是一款采用 TO-247-3 通孔型引脚封装的1200V EliteSiC（碳化硅）MOSFET器件，具有出色的开关性能和可靠性，以及低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。该MOSFET可实现的系统优势包括提高效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI以及减小系统尺寸。

规格：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：56毫欧 @ 35A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4，3V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：106 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1781 pF @ 800 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：348W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-3
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：NVHL040



（2）NVH4L060N090SC1 是一款采用全新技术的 900V SiC（碳化硅）MOSFET器件，与硅器件相比，具有更出色的开关性能和更高的可靠性。该MOSFET具有低导通电阻，可确保低电容和低栅极电荷。此器件非常适合用于升压逆变器、充电站、直流-直流逆变器、直流-直流转换器、车载充电器 (OBC)、电机控制、工业电源和服务器电源。

技术参数：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：46A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：84 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：87 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：+22V，-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1770 pF @ 450 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：221W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247-4L
封装/外壳：TO-247-4
基本产品编号：NVH4L060