供求晶体管（650V）SCTWA90N65G2V、SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET

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深圳市明佳达电子有限公司供应，求购晶体管（650V）SCTWA90N65G2V、SCTWA90N65G2V-4 碳化硅功率MOSFET，只要原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，散新翻新均不考虑，有满足以上需求欢迎联系我们陈先生！

SCTWA90N65G2V规格：

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 119A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 50A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 157 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +22V，-10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3380 pF @ 400 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 565W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 TO-247 长引线  

封装/外壳 TO-247-3

SCTWA90N65G2V-4属性：

FET 类型 N 通道  

技术 SiCFET（碳化硅）  

漏源电压（Vdss） 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 119A（Tc）  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 24 毫欧 @ 50A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 1mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 157 nC @ 18 V  

Vgs（最大值） +22V，-10V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3380 pF @ 400 V  

FET 功能 -  

功率耗散（最大值） 565W（Tc）  

工作温度 -55°C ~ 200°C（TJ）  

安装类型 通孔  

供应商器件封装 HiP247™ 长引线  

封装/外壳 TO-247-3

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