（供求）AUIRF5210STRL，NTBLS1D1N08H，MT28EW01GABA1HPC-0SIT（元器件）

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
（元器件）AUIRF5210STRL，NTBLS1D1N08H，MT28EW01GABA1HPC-0SIT（供求）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

一、AUIRF5210STRL：单 FET P通道晶体管，100V, 采用 D2-Pak 封装
FET 类型： P 通道  
技术： MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss）： 100V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 @ 38A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 250μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 230 nC @ 10 V  
Vgs（最大值）： ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2780 pF @ 25 V  
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta），170W（Tc）  
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）  
安装类型： 表面贴装型  
供应商器件封装： D2PAK  
封装/外壳： TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  

二、NTBLS1D1N08H：MOSFET - 功率，单，N-通道，80V，351A
FET 类型： N 通道  
技术： MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss）： 80 V  
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 41A（Ta），351A（Tc）  
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.05 毫欧 @ 50A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 650μA  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 166 nC @ 10 V  
Vgs（最大值）： ±20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 11200 pF @ 40 V  
功率耗散（最大值）： 4.2W（Ta），311W（Tc）  
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）  
安装类型： 表面贴装型  
供应商器件封装： 8-HPSOF  
封装/外壳： 8-PowerSFN

三、MT28EW01GABA1HPC-0SIT：FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb 并联 95 ns 64-LBGA (11x13)
产品说明：MT28EW01GABA1HPC-0SIT是一款异步、均快、并行NOR闪存器件。
产品种类：NOR闪存
系列：MT28EW
存储容量：1 Gbit
速度：95 ns
电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
接口类型：并联
组织：128 M x 8/64 M x 16
数据总线宽度：8 bit/16 bit
定时类型：异步
工作温度：-40°C ~ 85°C (TA)
封装/外壳：LBGA-64