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供应IC:LPC2458FET180【微控制器】,AONS62922【晶体管】IKW40N65ES5

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发表于 2024-6-6 15:42 |显示全部楼层
明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存IC器件:LPC2458FET180【微控制器】,AONS62922【晶体管】IKW40N65ES5,有意者欢迎随时联络我们!


LPC2458FET180:微控制器IC 16/32-位 72MHz
一、描述:LPC2458FET180 是单芯片 16 位/32 位微控制器,具有 512 kB 片上高速闪存。它可以执行 32 位 ARM 和 16 位 Thumb 指令。
型号:LPC2458FET180
封装:TFBGA-180
类型:嵌入式 - 单片机
二、产品特征:
ARM7TDMI-S 处理器,运行频率高达 72 MHz
98 kB 片上 SRAM
高级向量中断控制器 (VIC),支持多达 32 个向量中断
标准 ARM 测试/调试接口,与现有工具兼容
仿真跟踪模块支持实时跟踪
3.3 V 单电源(3.0 V 至 3.6 V)
四种低功耗模式:空闲、睡眠、掉电和深度掉电
欠压检测,具有独立的中断和强制复位阈值
片上开机复位
工作频率为 1 MHz 至 25 MHz 的片上晶体振荡器

AONS62922:120V 85A N通道 MOSFET 晶体管
一、描述:AONS62922 是一款次级同步整流MOS管,耐压120V,两颗并联。
型号:AONS62922
封装:DFN-8
类型:MOSFET 晶体管
二、产品属性:
晶体管类型 :N通道
功率耗散 :215W
充电电量 :46nC
栅极源极击穿电压 :±20V
击穿电压 :120V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) :7.1mΩ
漏源电压(Vdss) :120V
连续漏极电流 :85A
工作温度 :-55℃~+150℃
安装类型 :表面贴装型
封装/外壳 :8-DFN(5x6)

IKW40N65ES5:650V 79A IGBT晶体管
一、描述:
IKW40N65ES5 是一款 650V、40A 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT 晶体管,采用 TO247 封装,适用于 10 kHz 至 40 kHz 的开关应用。
型号:IKW40N65ES5
封装:TO-247-3
类型:IGBT晶体管
二、功能概述:
25°C 时 1.35 V 的超低 VCEsat,比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20
4 倍 Ic 脉冲电流(100°C Tc)
无尾流的软电流下降特性
对称、低电压过冲
栅极电压受控(无振荡)。无器件意外导通的风险,无需栅极箝位
最高结温 Tvj = 175°C

深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件!
【IC器件】LPC2458FET180【微控制器】,AONS62922【晶体管】IKW40N65ES5(供应,回收)
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!

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