罗姆SiC功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 车载SiC-MOSFET

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明佳达公司全新原装出售罗姆SiC功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 车载SiC-MOSFET

产品描述：
1、SCT3030ARHRC15是一款650V 70A的N沟道 SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。


特点：
通过 AEC-Q101 认证
导通电阻低
开关速度快
快速反向恢复
易于并联
驱动简单
无铅电镀；符合 RoHS 规范


规格：

FET 类型： N 通道  

技术： MOSFET（金属氧化物）  

漏源电压（Vdss）： 650 V  

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 70A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） ：39 毫欧 @ 27A，18V  

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 13.3mA  

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 104 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1526 pF @ 500 V  

功率耗散（最大值）： 262W  

工作温度：175°C（TJ）  

等级： 汽车级  

资质： AEC-Q101  

安装类型： 通孔

2、SCT3040KRHRC15是一款1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。该产品采用沟槽结构实现了更低的导通电阻，是符合AEC-Q101标准的高可靠性车载级产品。

产品属性

产品种类: MOSFET  

技术: SiC  

安装风格: Through Hole  

封装 / 箱体: TO-247-4  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV  

Id-连续漏极电流: 55 A  

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 4 V, + 22 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 5.6 V  

Qg-栅极电荷: 107 nC  

Pd-功率耗散: 262 W  

通道模式: Enhancement  

配置: Single  

下降时间: 20 ns  

正向跨导 - 最小值: 8.3 S  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 21 ns  

工厂包装数量: 450  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 27 ns  

典型接通延迟时间: 6 ns

公司回收碳化硅功率MOSFET SCT3030ARHRC15，SCT3040KRHRC15 N沟道SiC功率MOSFET，只收原装正品，散新翻新均不考虑，有原厂外包装则优先！