半导体IXBK55N300、IXGX320N60B3(销售回收)IXYH8N250CHV IGBT 晶体管

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IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高电压系列IGBT，采用TO-264-3封装。

1、BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的优势。 凭借非外延结构和新的制造工艺，BiMOSFET大获成功。这种高压器件是并联的理想选择，因为饱和电压和本征二极管的正向压降均具有正电压温度系数。

功能与特色:
“自由”本征体二极管
高功率密度
高频运行
低传导损耗
MOS栅极开启简单便捷
4000V电气绝缘

应用:
开关模式和谐振模式电源
不间断电源（UPS）
激光和X射线发生器
电容放电电路
高压脉冲电路
高压测试设备
AC开关

2、IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中频IGBT，器件采用HDMOS IGBT工艺进行PT（打穿）生产。

600V GenX3™针对高电流应用进行了优化，这类应用需要高达200 kHz的软开关频率和40 kHz的硬开关频率。 这些器件采用了我们久经考验的打穿（PT）技术，该技术可提高浪涌电流性能、降低饱和电压及减少能量损失，为设计人员提供600V范围下开关应用的全新可行方案。

功能:
高电流处理能力
国际标准包装
针对低导通和开关损耗进行了优化
超快反并联二极管（可选）
雪崩评级
方形RBSOA
300V范围内MOSFET的低成本替代选择
MOS栅极开启简单便捷
高频IGBT

应用
电源逆变器
UPS
电机驱动器
SMPS
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
突入电流保护电路
直流斩波器
感应加热
太阳能系统逆变器
功率因数校正电路
不间断电源设备
开关模式电源
电机控制（ACAC/DC电机）
电容放电开关

3、IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高压系列IGBT，器件采用专有的XPT™薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。

凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加经济高效。 因此，这可减少相关的栅极驱动电路、简化设计并提升整体系统的可靠性。

功能：
XPT™薄晶圆技术
较低的通态电压VCE(sat)
代加工快速恢复二极管
正温度系数VCE(sat)
国际标准尺寸高压封装

应用
脉冲电路
激光和X射线发生器
高压电源
高压检测设备
电容放电电路
AC开关

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