C2M0280120D，C3M0016120D【碳化硅MOSFET晶体管】，TSER9615RHBR 串行器

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明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装器件：C2M0280120D，C3M0016120D【碳化硅MOSFET晶体管】，TSER9615RHBR 串行器，如有需求，欢迎联络我们！

C2M0280120D：1200V 单N-通道碳化硅MOSFET晶体管
型号：C2M0280120D
封装：TO-247-3
类型：碳化硅MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：370 毫欧 @ 6A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1.25mA（典型值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：20.4 nC @ 20 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：259 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）：62.5W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

C3M0016120D：1200V N通道 SiCFET（碳化硅）MOSFET晶体管
型号：C3M0016120D
封装：TO-247-3
类型：碳化硅MOSFET晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：22.3 毫欧 @ 75A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 23mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：207 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：+15V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6085 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）：556W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

TSER9615RHBR：适用于高速传感器的 7.55Gbps MIPI® CSI-2 V³Link™ 串行器
型号：TSER9615RHBR
封装：VQFN-32
类型：串行器
产品属性：
功能：串行器
数据速率：7.55Gbps
输入类型：CSI-2，MIPI
输出类型：V3Link
输入数：5
输出数：1
电压 - 供电：1.8V
工作温度：-20°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：32-VQFN（5x5）

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