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碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET,BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC

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发表于 2024-7-26 15:52 |显示全部楼层
1、NSF060120D7A0J是一款基于碳化硅的1200 V功率MOSFET,采用标准7引脚TO-263塑料封装(用于表面贴装PCB技术),具有出色的RDSon 温度稳定性。该MOSFET非常适合用于大功率和高压工业应用,包括电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动器。
规格:
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:7 ns
Id-连续漏极电流:38 A
最大工作温度:+ 175°C
最小工作温度:- 55°C
安装风格:SMD/SMT
通道数量:1 Channel
封装 / 箱体:TO-263-7
封装:Reel
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
Pd-功率耗散:167 W
产品类型:SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷:57 nC
Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms
上升时间:9 ns
工厂包装数量:800
子类别:Transistors
技术:SiC
晶体管极性:N-Channel
典型关闭延迟时间:14 ns
典型接通延迟时间:12 ns
Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV
Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.9 V

明佳达电子 星际金华(供求)基于碳化硅的NSF060120D7A0J 1200 V功率MOSFET,BM3G007MUV-LBE2 GaN功率级IC,如您有多余的库存需要处理,欢迎把库存清单发送到:chen13410018555@163.com
2、BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC,非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。该器件集成了650V增强型GaN HEMT和硅驱动器。

特性:
Nano CAP™集成输出可选5V LDO
为工业应用提供长期支持产品
宽工作范围,适用于VDD 引脚电压
IN引脚电压的宽工作范围
低VDD 静态和工作电流
低传播延迟
高dv/dt抗噪性
可调栅极驱动器强度
电源良好信号输出
VDD UVLO保护
热关断保护

应用:
工业设备
电源与大功率密度
高效需求
桥拓扑结构如图腾柱PFC
LLC电源
适配器

明佳达电子/星际金华实业有限公司 qq 1668527835
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