安森美MOSFET（EFC3J018NUZTDG、EFC4K110NUZTDG）双 N 沟道功率 MOSFET

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深圳明佳达电子供应及收购安森美半导体MOSFET（EFC3J018NUZTDG、EFC4K110NUZTDG）双 N 沟道功率 MOSFET，只收正规渠道货源，有原厂外包装则优先考虑，有需求的朋友请联系陈先生！

概览
1、EFC3J018NUZTDG这款功率 MOSFET 的导通电阻很低。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合 1-2 节锂离子电池应用。

特性

• 2.5 V 驱动
• ESD 二极管保护栅极
• 共漏极类型
• 符合 RoHS 规范
• 2 kV ESD HBM
  

产品属性
制造商:        onsemi        
产品种类:        MOSFET        
技术:        Si        
安装风格:        SMD/SMT        
封装 / 箱体:        WLCSP-6        
晶体管极性:        N-Channel        
通道数量:        2 Channel        
Vds-漏源极击穿电压:        20 V        
Id-连续漏极电流:        23 A        
Rds On-漏源导通电阻:        4.7 mOhms        
Vgs - 栅极-源极电压:        - 12 V, + 12 V        
Vgs th-栅源极阈值电压:        500 mV        
Qg-栅极电荷:        75 nC        
最小工作温度:        - 55 C        
最大工作温度:        + 150 C        
Pd-功率耗散:        2.5 W        
通道模式:        Enhancement        
系列:        EFC3J018NUZ

2、EFC4K110NUZTDG 具有超低导通电阻、高电流特性，采用小而薄的 CSP 封装。最适合 1 至 2 芯锂离子电池保护电路。

特性

• 低 Rss（开）
• 体积小、宽度窄
• 无闩锁现象
• 低栅极电荷
• 2kV ESD HBM
• 共漏极类型
• ESD 二极管保护栅极
• 符合 RoHS 规范
  

产品规格
制造商:        onsemi        
产品种类:        MOSFET        
技术:        Si        
安装风格:        SMD/SMT        
封装 / 箱体:        WLCSP-10        
晶体管极性:        N-Channel        
通道数量:        2 Channel        
Vds-漏源极击穿电压:        24 V        
Id-连续漏极电流:        25 A        
Rds On-漏源导通电阻:        2.95 mOhms        
Vgs - 栅极-源极电压:        - 12 V, + 12 V        
Vgs th-栅源极阈值电压:        400 mV        
Qg-栅极电荷:        49 nC        
最小工作温度:        - 55 C        
最大工作温度:        + 150 C        
Pd-功率耗散:        2.5 W        
通道模式:        Enhancement        
系列:        EFC4K110NUZTDG