【MOSFET晶体管】IPD038N06NF2S，IPD023N04NF2S，IPP040N08NF2S

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【供求】IPD038N06NF2S，IPD023N04NF2S，IPP040N08NF2S【MOSFET晶体管】，明佳达电子，星际金华长期供应及回收原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！


IPD038N06NF2S：60V N通道 MOSFET晶体管，表面贴装型
型号：IPD038N06NF2S
封装：TO-252-3
类型：MOSFET晶体管
IPD038N06NF2S - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：20A（Ta），120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.85 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 52µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3000 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），107W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63


IPD023N04NF2S：40V N通道 MOSFET晶体管，表面贴装型
型号：IPD023N04NF2S
封装：TO-252-3
类型：MOSFET晶体管
IPD023N04NF2S - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：27A（Ta），143A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 81µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63


IPP040N08NF2S：80V N通道 MOSFET晶体管，通孔
型号：IPP040N08NF2S
封装：TO-220-3
类型：MOSFET晶体管
IPP040N08NF2S - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta），115A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：81 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），150W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3
封装/外壳：TO-220-3


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【供应，回收】IPD038N06NF2S，IPD023N04NF2S，IPP040N08NF2S【MOSFET晶体管】。
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