供求射频器件M3SWA2-34DR射频开关JSW3-272DR，SMIQ-1844H混频器

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1、M3SWA2-34DR是一款GaAs MMIC SPDT吸收式开关，内置驱动器，设计用于DC至30 GHz的宽带操作。该开关能够在较宽的频率范围内实现快速、纳秒级开关，且无栅极滞后效应。
开关配置：SPDT
最大频率：30 GHz
介入损耗：2.2 dB
最小工作温度：- 55 C
最大工作温度：+ 105 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-16
系列：M3SWA2
封装：Reel
封装：Cut Tape
高控制电压：1.8 V to 3.6 V
开关数量：Dual
工作电源电流：2.7 mA
Pd-功率耗散：430 mW
产品类型：RF Switch ICs
电源电压-最大：3.6 V
电源电压-最小：3.3 V


2、JSW3-272DR是一款反射式SP3T RF开关，在关断状态下，输出端口反射短路。它采用绝缘体上硅工艺制造，具有非常高的IP3，内置CMOS驱动器和负电压发生器。其小巧的2x2mm、14引脚外壳可在狭小空间和密集PCB布局中实现宽带性能。
开关配置：SP3T
最小频率：5 MHz
最大频率：2.7 GHz
介入损耗：0.6 dB
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 85°C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：MCLP-14
系列：JSW3
封装：Reel
封装：Cut Tape
高控制电压：1.8 V
开关数量：Single
工作频率：5 MHz to 2.7 GHz
工作电源电流：40 uA
产品类型：RF Switch ICs
电源电压-最大：4.8 V
电源电压-最小：2.5 V


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3、SMIQ-1844H是一款无源宽带同相/正交(I/Q)混频器，采用GaAs HBT技术制造。SMIQ1844H+可用作发射应用的单边带上变频器或接收机应用的镜像抑制混频器。此器件非常适合要求固有镜像信号和杂散混频产物抑制的宽带频率转换应用。
射频：18 GHz to 40 GHz
LO频率：18 GHz to 40 GHz
中频：DC to 7 GHz
最大工作温度：+ 105°C
最小工作温度：- 55°C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：QFN-24
封装：Reel
封装：Cut Tape
产品类型：RF Mixer
系列：SMIQ
技术：GaAs