英飞凌 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC OptiMOS™ 功率 MOSFET

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明佳达电子【供应，回收】英飞凌 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC OptiMOS™ 功率 MOSFET，回收N-通道功率MOSFET，高价回收个人和工厂库存电子元件

1、产品说明：
功率 MOSFET IQD009N06NM5CGSC，IQD009N06NM5SC具有 0.9 mOhm 的低 RDS(on)，同时具有出色的热性能，便于管理功率损耗。中心栅基底面针对并行化进行了优化。此外，与包覆封装相比，双面冷却封装的耗散功率提高了五倍。

这就为各种终端应用提供了更高的系统效率和功率密度。

2、产品属性：
型号：IQD009N06NM5CGSC
制造商:        Infineon        
产品种类:        MOSFET        
技术:        Si        
安装风格:        SMD/SMT        
封装 / 箱体:        PG-WHTFN-9        
晶体管极性:        N-Channel        
通道数量:        1 Channel        
Vds-漏源极击穿电压:        60 V        
Id-连续漏极电流:        445 A        
Rds On-漏源导通电阻:        900 uOhms        
Vgs - 栅极-源极电压:        - 20 V, + 20 V        
Vgs th-栅源极阈值电压:        3.3 V        
Qg-栅极电荷:        120 nC        
最小工作温度:        - 55 C        
最大工作温度:        + 175 C        
Pd-功率耗散:        333 W        
通道模式:        Enhancement        
商标名:        OptiMOS        
配置:        Single        
下降时间:        12 ns        
产品类型:        MOSFETs        
上升时间:        9 ns               
晶体管类型:        1 N-Channel        
典型关闭延迟时间:        34 ns        
典型接通延迟时间:        17 ns

型号：IQD009N06NM5SC
制造商:        Infineon        
产品种类:        MOSFET        
技术:        Si        
安装风格:        SMD/SMT        
封装 / 箱体:        PG-WHSON-8        
晶体管极性:        N-Channel        
通道数量:        1 Channel        
Vds-漏源极击穿电压:        60 V        
Id-连续漏极电流:        445 A        
Rds On-漏源导通电阻:        900 uOhms        
Vgs - 栅极-源极电压:        - 20 V, + 20 V        
Vgs th-栅源极阈值电压:        3.3 V        
Qg-栅极电荷:        120 nC        
最小工作温度:        - 55 C        
最大工作温度:        + 175 C        
Pd-功率耗散:        333 W        
通道模式:        Enhancement        
商标名:        OptiMOS        
配置:        Single        
下降时间:        12 ns        
产品类型:        MOSFETs        
上升时间:        9 ns        
晶体管类型:        1 N-Channel        
典型关闭延迟时间:        34 ns        
典型接通延迟时间:        17 ns