650V碳化硅 (SiC) MOSFET NTH4L032N065M3S，NTHL032N065M3S

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NTH4L032N065M3S NTHL032N065M3S 650V碳化硅 (SiC) MOSFET与硅器件(Si)相比可提供出色的开关性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低导通电阻，采用紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷。优势包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低以及系统尺寸小。

特性：
低RDS(on)
高结温
Tj=175°C
100%经UIL测试
符合RoHS指令
高速开关，低电容
额定电压：650V

应用：
直流-直流转换器
升压逆变器

NTH4L032N065M3S规格：
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650 V
Id-连续漏极电流：50 A
Rds On-漏源导通电阻：44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 8 V, 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-栅极电荷：55 nC
封装 / 箱体：TO-247-4
工作温度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：187 W
通道模式：Enhancement
配置：Single
下降时间：9 ns
封装：Tube
产品类型：SiC MOSFETS
上升时间：12 ns

NTHL032N065M3S特征：
• 典型 RDS（on） = 32 m @ VGS = 18 V
• 超低栅极电荷 （QG（tot） = 55 nC）
• 具有低电容的高速开关 （Coss = 114 pF）
• 100% 雪崩测试
• 本器件无卤化物，符合 RoHS 豁免 7a、无铅 2LI（二级互连）
供求NTH4L032N065M3S，NTHL032N065M3S 650V碳化硅 (SiC) MOSFET，价格方面具体请联系明佳达（星际金华）陈先生qq 1668527835 咨询。