IKW50N65WR5晶体管IXTP160N10T,BQ77PL900DLR电池保护,MC33897CTEFR2收发器

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供应，回收】IKW50N65WR5（晶体管）IXTP160N10T，BQ77PL900DLR电池保护IC，MC33897CTEFR2（CAN 收发器）。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

IKW50N65WR5：650V、50A、TrenchStop™5 WR5 IGBT 晶体管，采用TO-247-3封装
型号：IKW50N65WR5
封装：TO-247-3
类型：IGBT 晶体管
IKW50N65WR5 - 产品属性：
系列：TrenchStop™
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，50A
功率 - 最大值：282 W
开关能量：840µJ（导通），220µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：230 nC
25°C 时 Td（开/关）值：45ns/417ns
测试条件：400V，25A，16 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：110 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

IXTP160N10T：100V、160A、N-通道 MOSFET 晶体管，采用TO-220-3封装
型号：IXTP160N10T
封装：TO-220-3
类型：N-通道 MOSFET 晶体管
IXTP160N10T - 产品属性：
系列：Trench
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：132 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6600 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：430W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3

BQ77PL900DLR：电池保护IC - 5 至 10节锂离子电池保护和 AFE，SSOP-48
型号：BQ77PL900DLR
封装：SSOP-48
类型：电池管理 - 电池保护IC
BQ77PL900DLR - 产品属性：
功能：电池保护
电池化学成份：锂离子/聚合物
电池数：5 ~ 10
故障保护：过流，过/欠压，短路
接口：I2C
工作温度：-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：48-SSOP

MC33897CTEFR2：500mV，单线 CAN 收发器，SOIC-14
型号：MC33897CTEFR2
封装：SOIC-14
类型：单线 CAN 收发器
MC33897CTEFR2 - 产品属性：
类型：收发器
协议：CANbus
驱动器/接收器数：1/1
双工：半
接收器滞后：500 mV
数据速率：83.33Kbps
电压 - 供电：12V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：14-SOIC
MC33897CTEFR2 - 产品特点：
波形设计可降低电磁干扰 (EMI)
检测并自动处理失地
电流限制可防止总线短路造成损坏
总线输出内置热关断功能
防止车辆瞬态电流
欠压锁定功能可防止低电量时产生错误数据