分立器件：650V IKW50N65WR5 单 IGBT，100V IXTP160N10T N 通道 MOSFET

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深圳市明佳达电子原装现货【供应】分立器件：650V 50A IKW50N65WR5 单 IGBT TO-247-3，100V 160A IXTP160N10T N 通道 MOSFET TO-220-3

产品描述：
1、IKW50N65WR5高速 650 V、50 A 反向导电 TRENCHSTOP™ 5 WR5 IGBT，采用 TO-247 封装。

特点

• VCE = 650 V
• IC = 50 A
• 功能强大的单片二极管，针对 ZCS 应用进行了优化
• 坚固耐用、温度稳定
• 极低的 VCEsat 和低 Eoff
• VCEsat 具有正温度系数，易于并联
• 低 EMI
• 取决于（依赖于）温度的电气参数低
• 目标应用符合 JESD-022 标准
• 无铅电镀；符合 RoHS 规范
  

应用

• 焊接
• PFC
• ZCS - 转换器
  

2、IXTP160N10T属于IXYS Gen1 沟槽栅功率 MOSFET 非常适合低电压/高电流应用，需要极低的 RDS(ON)，从而实现极低的功率耗散。该器件的工作结温范围很宽，从 -40°C 到 175°C，因此非常适合汽车应用和其他类似的严苛环境应用。

特点

• 国际标准封装
• 低 RDS(ON)
• 雪崩额定值
• 高电流处理能力
• 快速本征整流器
• 器件易于安装
• 节省空间
• 功率密度高
  

产品属性

• FET 类型： N 通道
• 技术： MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）： 100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 250µA
• 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 132 nC @ 10 V
• Vgs（最大值） ：±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6600 pF @ 25 V
• 功率耗散（最大值）： 430W（Tc）
• 工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型： 通孔
• 供应商器件封装： TO-220-3
• 封装/外壳： TO-220-3