供应BSC026N08NS5功率 MOSFET、LM5168FDDAR稳压器、NCV7721D2R2G驱动器

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BSC026N08NS5 OptiMOS™ 5 80 V 功率 MOSFET 专为电信和服务器电源的同步整流而设计。此外，该器件还可用于太阳能、低压驱动和适配器等其他工业应用。OptiMOS™ 5 80 V MOSFET 采用七种不同的封装，具有业界最低的 RDS(on)。此外，与上一代产品相比，OptiMOS™ 5 80 V 的 RDS(on) 降低了 43%。

LM5168FDDAR同步降压转换器用于在宽输入电压范围内进行调节，从而更大限度地减少对外部浪涌抑制元件的需求。50ns 的最短可控导通时间有助于实现较大的降压转换比，支持从 48V 标称输入到低电压轨的直接降压转换，从而降低系统的复杂性并减少解决方案成本。该器件非常适合具有宽输入电源电压范围的工业和高电芯数电池包应用。

NCV7721D2R2G 是一款完全受保护的双半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。两个半桥驱动器具有独立控制功能。这样就可以实现高压侧、低压侧和 H 桥控制。H 桥控制提供正向、反向、制动和高阻抗状态（EN = 低电平）。驱动器通过逻辑电平输入进行控制。该器件采用 SOIC-14 封装。

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BSC026N08NS5 规格
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) ：23A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） ：3.8V @ 115µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 92 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6800 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），156W（Tc）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： PG-TDSON-8-6
封装/外壳： 8-PowerTDFN

LM5168FDDAR 产品属性
功能： 降压，升压/降压
输出配置： 正
拓扑： 降压，反激
输出类型： 可调式
输出数： 1
电压 - 输入： 6V  至 120V
电压 - 输出（固定）： 1.2V  至 120V
电流 - 输出： 300mA
频率 - 开关： 100kHz ~ 1MHz
同步整流器： 是
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型

NCV7721D2R2G 的特性：
• 作为半桥连接的 2 个高压侧和 2 个低压侧驱动器
• 500 mA [典型值]，1.1 A [最大值] 驱动器
♦ RDS(on) = 0.8（典型值），1.7（最大值）
• 内部续流二极管
• 并行输入逻辑控制
• 睡眠模式下的超低静态电流，VS 和 VCC 为 1 A
• 兼容 5 V 和 3.3 V 系统
• 过压和欠压锁定
• 欠载、过流和热关断故障报告
• 3 A 电流限制
• SOIC-14 内部熔断引线，散热性能更佳
• 高达 6 kV 的 ESD 保护
• 这是一款无铅器件