出SLG59M1717V 4 mΩ负载开关，THGAMRG8T13BAIL，BCM84891LB0KFEBG实物图

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1、SLG59M1717V 是一款高性能 4 mΩ、5 A 单通道 nFET 负载开关，采用 2.5 V 至 5.5 V 电源供电，专为所有 0.8 V 至 5.5 V 电源轨应用而设计。SLG59M1717V 具有可调节的浪涌电流控制功能，这是通过使用外部电容器调节 VOUT 转换速率来实现的。该器件采用专有的 MOSFET 设计，可在宽输入/电源电压范围内实现稳定的 4 mΩ RDSON。
SLG59M1717V N 通道 5A 电源开关规格
开关类型：通用
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高侧
输出类型：N 通道
电压 - 负载：-
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：2.5V ~ 5.5V
电流 - 输出（最大值）：5A
导通电阻（典型值）：4 毫欧
输入类型：CMOS
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
器件封装：16-STQFN（1.6x2.5）
封装/外壳：16-PowerUFQFN
基本产品编号：SLG59

明佳达 星际金华优势出SLG59M1717V 4 mΩ负载开关，THGAMRG8T13BAIL e-MMC存储器，BCM84891LB0KFEBG以太网收发器。
2、THGAMRG8T13BAIL e-MMC™ NAND闪存采用比特列堆叠 (BiCS) FLASH™ 3D 技术。该闪存为需要以经济高效的方式存储更高数据量的应用提供了最佳解决方案。该 eMMC 闪存完全符合多媒体卡协会 (MMCA) 高速内存接口标准。这些闪存符合最新的 JEDEC 5.1 版。


THGAMRG8T13BAIL 存储器 IC 256GBIT EMMC 规格
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：闪存 - NAND
存储容量：256Gb
存储器组织：32G x 8
存储器接口：eMMC
写周期时间 - 字，页：-
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
器件封装：153-WFBGA（11.5x13）
基本产品编号：THGAMRG8

3、BCM84891LB0KFEBG是一款单端口 10GBASE-T/5GBASE-T/2.5GBASE-T/1000BASE-T/100BASE-TX 以太网 CMOS 收发器。该器件在 Cat5e、6 或 6A 类双绞线电缆上执行 10GBASE-T、5GBASE-T、2.5GBASE-T、1000BASE-T 和 100BASE-TX 以太网的所有物理层功能。
BCM84891L 以太网收发器 特征
单芯片集成单端口以太网收发器 - MAC 到磁性元件：
XFI/10GBASE-KR、USXGMII、5000BASE-R/5000BASE-X、2500BASE-R/2500BASE-X 和 1000BASE-X （SGMII） MAC 接口
IEEE 802.3bz、NBASE-T
IEEE 1588-2008 PTP 第 2 版（时间戳）
10GBASE-T、5GBASE-T、2.5GBASE-T、1000BASE-T 和 100BASE-TX 上的 EEE
低电磁干扰 （EMI） 辐射
增强的电缆诊断
低功耗 0.8V CMOS 内核
器件封装：8 mm × 8 mm BGA


BCM84891L 以太网收发器 应用
宽带 CPE：PON ONU、DOCSIS eMTA、WiFi 路由器、家庭网关
WiFi6/6E/7 接入点/扩展器
Enternet 交换机， 服务器， 存储
SFP+ 模块