EPCS128SI16N（存储器）THGBMNG5D1LBAIL，FF600R12ME4 双 IGBT 模块

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供应，回收】EPCS128SI16N（存储器）THGBMNG5D1LBAIL，FF600R12ME4 双 IGBT 模块。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

EPCS128SI16N：40MHz，128Mbit 串行配置闪存，SOIC-16
描述：EPCS128SI16N是一款128Mbit，40MHz串行配置闪存存储器，可存储上电后用于FPGA配置的配置数据。

EPCS128SI16N——产品属性：
可编程类型：系统内可编程
存储容量：128Mb
内存类型：闪存
工作电源电流：100 uA
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：16-SOIC

THGBMNG5D1LBAIL：200MHz，32Gbit，e•MMC™ NAND闪存存储器IC，WFBGA-153
型号：THGBMNG5D1LBAIL
封装：WFBGA-153
类型：NAND闪存存储器IC

THGBMNG5D1LBAIL——产品属性：
系列：e•MMC™
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：闪存 - NAND
存储容量：32Gb
存储器组织：4G x 8
存储器接口：eMMC
时钟频率：200 MHz
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：153-WFBGA
供应商器件封装：153-WFBGA（11.5x13）

FF600R12ME4：1200V、600A 双 IGBT 模块
描述：FF600R12ME4 是1200V、600A，EconoDUAL™ 3 双 IGBT 模块，配有 TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极可控二极管和 NTC。还可提供预涂热界面材料、发射极控制软二极管。

FF600R12ME4——特性概述：
低 VCEsat
Tvj op = 150°C
正温度系数 VCEsat
高功率密度
隔离底板
标准外壳
FF600R12ME4——优势：
模块结构紧凑
组装简便、可靠
无需插头和电缆
适用于低电感系统设计