DRAM存储器MT53E2G32D4DE-046 WT:C(DRAM 64G)、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B(LPDDR4 16G)

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深圳明佳达电子【供应原装器件】DRAM存储器MT53E2G32D4DE-046 WT:C(DRAM 64G)、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B(LPDDR4 16G)

【供应】只做原装，库存现货，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！

一、MT53E2G32D4DE-046 WT:C 动态随机存取存储器 LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 WT
型号：MT53E2G32D4DE-046 WT:C
批次：新
类型：移动 SDRAM - LPDDR4
MT53E2G32D4DE-046 WT:C——产品属性
存储容量:        64 Gbit        
数据总线宽度:        32 bit        
最大时钟频率:        2.133 GHz        
封装 / 箱体:        TFBGA-200        
组织:        2 G x 32        
电源电压-最小:        1.06 V        
电源电压-最大:        1.95 V        
最小工作温度:        - 25 C        
最大工作温度:        + 85 C

二、MT53E512M32D1ZW-046 WT:B 动态随机存取存储器 LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 WT
型号：MT53E512M32D1ZW-046 WT:B
批次：新
类型：移动 SDRAM - LPDDR4
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B——产品规格
存储容量:        16 Gbit        
数据总线宽度:        32 bit        
最大时钟频率:        2.133 GHz        
封装 / 箱体:        TFBGA-200        
组织:        512 M x 32        
访问时间:        3.5 ns        
电源电压-最小:        1.06 V        
电源电压-最大:        1.95 V        
最小工作温度:        - 25 C        
最大工作温度:        + 85 C