IPW60R180P7晶体管，IDW20G120C5B二极管，MLX90316KDC-BDG-100-RE位置传感器

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供求原装器件】IPW60R180P7 MOSFET晶体管，IDW20G120C5B 肖特基二极管，MLX90316KDC-BDG-100-RE 旋转位置传感器。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

IPW60R180P7：650V，18A，CoolMOS™ P7 N通道 MOSFET 晶体管，TO-247-3
型号：IPW60R180P7
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
IPW60R180P7——产品属性：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1081 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：72W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3

IDW20G120C5B：1200V，碳化硅肖特基二极管，TO-247-3
概述：IDW20G120C5B 第 5 代 CoolSiC™ 肖特基二极管，采用 TO-247-3 封装，电压为 1200V，电流为 20A，是 SiC 肖特基势垒二极管的领先技术。
IDW20G120C5B——产品属性：
系列：CoolSiC™+
二极管配置：1 对共阴极
技术：SiC（碳化硅）肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：31A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.65 V @ 10 A
速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：83 µA @ 1200 V
工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3

MLX90316KDC-BDG-100-RE：Triaxis® 主流系列旋转位置传感器 IC（模拟、PWM 和 SPI 输出），SOIC-8
概述：
MLX90316KDC-BDG-100-RE 是 Triaxis® 旋转位置传感器 IC，可提供在器件表面上方旋转的小型二极磁体（轴端磁体）的角位置。这款单片器件可凭借其表面的集磁点（IMC），以一种非接触方式感测所施加磁通密度的水平分量。
MLX90316KDC-BDG-100-RE——产品特征：
绝对旋转位置传感器 IC
简单稳固的磁性设计
Triaxis® 技术
环境温度范围从 –40°C 至 +150°C
高达 360 度的可编程角范围
可编程线性传输特性
可选输出模式：模拟量（成比例）、PWM 和串行协议 (SPI)
360 度范围内采用 12 位角度分辨率
I10 位角度精度
40 位 ID 编号
断路跟踪诊断（Open-Vdd、Open-Vss）
片上诊断
过电压保护
低电压检测