莱迪思半导体 LCMXO2-2000HC-4TG100C MachXO2 现场可编程门阵列 (FPGA) IC

mingjiada

介绍：


莱迪思半导体的MachXO2可编程逻辑器件（PLD）由6个超低功耗、瞬时上电、非易失性PLD组成，提供256至6864个查找表（LUT）。此外，莱迪思半导体的MachXO2系列PLD还具有多种特性，如嵌入式块RAM（EBR）、分布式RAM和用户闪存（UFM），使这些器件可用于低成本、高容量的消费和系统应用中。

MachXO2器件采用65纳米非易失性低功耗工艺设计，有超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）两个版本。MachXO2还采用多种先进的无卤素封装，并提供增强的I/O功能，如驱动强度控制、压摆率控制、PCI兼容性、总线保持锁存器和上拉电阻。MachXO2还通过片上闪存提供灵活、可靠和安全的配置。


莱迪思半导体 LCMXO2-2000HC-4TG100C MachXO2 现场可编程门阵列 (FPGA) IC 79 75776 2112 100-LQFP

型号：LCMXO2-2000HC-4TG100C

系列： MachXO2  

包装： 托盘  

零件状态： 在售  

LAB/CLB 数： 264  

逻辑元件/单元数： 2112  

总 RAM 位数： 75776  

I/O 数： 79  

电压 - 供电： 2.375V ~ 3.465V  

安装类型： 表面贴装型  

工作温度：0°C ~ 85°C（TJ）  

封装/外壳： 100-LQFP  

供应商器件封装： 100-TQFP（14x14）

明佳达电子提供LCMXO2-2000HC-4TG100C的原装正品库存，支持批量采购。

产品特性

灵活的逻辑架构：

六款器件，具有 256 至 6864 个 LUT4 和 19 至 335 个 I/O

超低功耗器件：

先进的 65 纳米低功耗工艺

待机功耗低至 19µW

嵌入式和分布式存储器：

高达 240 Kbits sysMEM™ 嵌入式块 RAM

高达 54 Kbits 的分布式 RAM

片上用户闪存：

高达 256 Kbits 的用户闪存

100,000 次写入循环

预设计源同步 I/O：

I/O 单元中的 DDR 寄存器

专用齿轮逻辑