【产品应用】UJ3C120080K3S SiC FET【IPL65R165CFD高压MOSFET】BCM54214EB1KMLG

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UJ3C120080K3S是一款高性能的碳化硅场效应晶体管（SiC FET），其漏源击穿电压为1200V，连续漏极电流为33A‌
导通电阻为80毫欧姆（典型值），适用于需要高电压和大电流的应用场景‌。该器件采用TO-247-3L封装，工作温度范围为-55°C至175°C，适合开关电感负载和需要标准栅极驱动的应用‌。
技术参数
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：51 nC @ 15 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 100 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：254.2W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
器件封装：TO-247-3
此外，UJ3C120080K3S由于其高性能和低损耗特性，特别适用于以下应用领域：
‌电力电子‌：在高压、大电流的电力转换和调节系统中使用。
‌工业控制‌：在需要高可靠性和长寿命的工业设备中应用。
‌汽车电子‌：在电动汽车和混合动力汽车的电力管理中使用。

IPL65R165CFD是一款650V CoolMOS™ CFD2功率场效应晶体管‌。它是600V CoolMOS™ CFD7的替代产品，属于第二代市场领先的高压CoolMOS™ MOSFET，具有集成快速体二极管。与600V CFD技术相比，IPL65R165CFD在能效方面有所提升，具有更软的换向行为和更好的电磁干扰行为，使其在竞争中具有明显优势‌。
主要特性
‌电压和电流规格‌：IPL65R165CFD的漏源极电压（Vds）为650V，连续漏极电流（Id）为21.3A‌。
‌集成快速体二极管‌：IPL65R165CFD采用650V技术并集成快速体二极管，能够在硬换向期间限制电压过冲‌。
低Qg‌：与600V CFD技术相比，IPL65R165CFD的Qg显著降低，具有更窄的RDS(on)最大值到RDS(on)典型值窗口‌。
‌工作温度范围‌：工作温度范围为-40°C至150°C‌。
‌封装形式‌：采用VSON-4-EP(8.1x8.1)封装‌。
此外，IPL65R165CFD适用于多种应用领域，包括：
‌通信‌
‌服务器‌
‌太阳能‌
‌HID灯镇流器‌
‌LED照明‌
‌电动交通‌‌

明佳达电子供应全新UJ3C120080K3S SiC FET、IPL65R165CFD高压MOSFET 以及BCM54214EB1KMLG千兆以太网收发器
BCM54214EB1KMLG是一款高度集成的千兆以太网收发器，支持1000BASE-T、100BASE-TX和10BASE-T三种速率标准‌。该设备能够在标准5类UTP电缆上执行所有物理层功能，并且可以在3类、4类和5类UTP电缆上运行10BASE-T标准‌。
主要特性
- 单芯片集成三速以太网收发器
- 1000BASE-T IEEE 802.3ab
- 100BASE-TX IEEE 802.3u
- 10BASE-T IEEE 802.3
- 100BASE-EFX
- 支持 RGMII MAC 接口
- 支持 GMII/MII MAC 接口
- 支持同步以太网
- 支持软复位
- 以太网@线速
- 集成稳压器
- 轨迹匹配输出阻抗
- 线路侧环回
- 低 EMI 辐射
- 电缆设备诊断
- 强大的 CESD 容差
- 支持高达 10 KB 的巨型数据包
- 检测和纠正线对交换
- MDI 交叉）、线对偏斜和线对极性
- 高级电源管理
- IEEE 1149.1 (JTAG) 边界扫描
- 符合 IEEE 802.3az 标准的支持 - 支持本地 EEE MAC - 支持使用 AutogrEEEn® 模式的传统非 EEE MAC - AutogrEEEn+
- 超级隔离模式
- 支持无源信号检测器
- 支持网络唤醒 (WOL)
- 符合 IEEE 标准 1588-2008（版本 2
- 支持 Y.1731
- 68 引脚 QFN 封装
BCM54214EB1KMLG广泛应用于各种电子设备中，主要用于网络连接功能，具体应用场景包括但不限于：
‌网络设备‌：在路由器、交换机等网络设备中提供高速数据传输功能。
‌嵌入式系统‌：在工业控制、安防监控等嵌入式系统中实现高速以太网连接。
‌通信设备‌：在基站、通信服务器等通信设备中提供稳定的网络连接。