原厂原装（ON安森美）NVMFS5C430NWFAFT1G N沟道MV MOSFET

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原厂原装供应（ON安森美）NVMFS5C430NWFAFT1G N沟道MV MOSFET 40 V 35A（Ta），185A（Tc） 3.8W（Ta），106W（Tc） 5-DFNW（4.9x5.9）（8-SOFL-WF）

产品描述
NVMFS5C430NWFAFT1G是由ON安森美（onsemi）生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench6工艺，结合屏蔽栅极技术，专为高效功率应用设计。该产品具有低导通电阻、低开关损耗和高热性能，适用于汽车、工业和消费电子领域。

主要特性
低导通电阻：1.7mΩ（@10V, 50A），有助于降低导通损耗。
高电流能力：连续漏极电流高达185A（Tc=100°C），满足高功率需求。
小型化封装：5x6mm的DFN5封装，适合紧凑设计。
高热性能：支持高功率密度应用。
符合AEC-Q101标准：通过汽车级可靠性测试，适用于汽车应用。
环保设计：无铅和RoHS合规。

技术规格
参数        典型值        单位
漏源电压（Vdss）        40V       
连续漏极电流（Id）        185A       
导通电阻（RDS(on)）        1.7mΩ        @10V, 50A
功耗（Pd）        106W       
阈值电压（Vgs(th)）        3.5V       
栅极电荷量（Qg）        47nC        @10V
输入电容（Ciss）        3.3nF        @25V
反向传输电容（Crss）        45pF        @25V
工作温度范围        -55°C 至 +175°C       

产品应用
汽车电子：适用于汽车电源管理、电机驱动和车载充电器。
工业电源：用于高效电源转换和电机控制。
消费电子：支持高功率密度设计，适用于笔记本电脑、显示器等设备。
通信设备：适用于基站电源和网络设备。

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