LMG3411R070RWHR / LMG3410R070RWHR / LMG3422R030RQZR——GaN 功率级

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明佳达电子，星际金华【供应，回收】LMG3411R070RWHR / LMG3410R070RWHR / LMG3422R030RQZR——GaN 功率级。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

一、LMG3411R070RWHR：具有集成型驱动器和逐周期过流保护功能的 600V，70mΩ，GaN 功率级
型号：LMG3411R070RWHR
封装：VQFN-32
类型：GaN 功率级
LMG3411R070RWHR——产品特性：
集成栅极驱动器
零共源电感
20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
强大的保护
无需外部保护组件
过流保护，响应时间低于 100ns
压摆率抗扰性高于 150V/ns
瞬态过压抗扰度
过热保护

二、LMG3410R070RWHR：600V，70 毫欧，GaN 功率级——具有集成驱动器和锁存过流保护功能
型号：LMG3410R070RWHR
封装：VQFN-32
类型：GaN 功率级
LMG3410R070RWHR——产品属性：
开关类型：负载开关
输出数：1
比率 - 输入:输出：1：1
输出配置：高端
输出类型：N 通道
接口：逻辑，PWM
电压 - 负载：480V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
电流 - 输出（最大值）：12A
导通电阻（典型值）：70 毫欧
输入类型：非反相
特性：自举电路，5V 稳压输出
故障保护：过流，超温，UVLO
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-VQFN（8x8）

三、LMG3422R030RQZR：600V，30mΩ，氮化镓 (GaN) FET——具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN 功率级
型号：LMG3422R030RQZR
封装：VQFN-54
类型：GaN 功率级
LMG3422R030RQZR——产品特性：
带集成栅极驱动器的 600V GaN-on-Si FET
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET 释抑
2.2MHz 开关频率
20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
由 7.5V 至 18V 电源供电
强大的保护
响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护
硬开关时可承受 720V 浪涌
针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
高级电源管理
数字温度 PWM 输出