LTC3789EGN控制器——[IPW65R080CFD晶体管]、XC7K160T-2FFG676I（FPGA IC）

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明佳达电子、星际金华【供应原装】LTC3789EGN降压-升压型控制器、IPW65R080CFD功率 MOSFET 晶体管、XC7K160T-2FFG676I（Kintex®-7 FPGA）。

LTC3789EGN：同步、四开关降压-升压型控制器，SSOP-28
单电感器架构允许 VIN 高于、低于或等于稳定的 VOUT
可编程输入或输出电流
宽 VIN 范围：4V 至 38V
1% 输出电压准确度：0.8V < VOUT < 38V
同步整流：效率高达 98%
电流模式控制
可锁相固定频率：200kHz 至 600kHz
启动期间无反向电流
电源良好输出电压监视器
内部 5.5V LDO
四路 N 沟道 MOSFET 同步驱动
停机期间 VOUT 与 VIN 断接
真正软起动和 VOUT 短路保护 (即使在升压模式)
采用 28 引脚 SSOP 封装

IPW65R080CFD：650V、CoolMOS ™ CFD2 N通道功率 MOSFET 晶体管，PG-TO247-3
系列：CoolMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：43.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：80 毫欧 @ 17.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.76mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：161 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4440 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）：391W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3

XC7K160T-2FFG676I：Kintex®-7现场可编程门阵列（FPGA）IC，FCBGA-676

系列：Kintex®-7

LAB/CLB 数：12675

逻辑元件/单元数：162240

总 RAM 位数：11980800

I/O 数：400

电压 - 供电：0.97V ~1.03V

安装类型：表面贴装型

工作温度：-40°C ~ 100°C（TJ）

封装/外壳：676-BBGA，FCBGA

供应商器件封装：676-FCBGA（27x27）