[资料参数] CTN730EV__ACAS2R0S331E09Y__GD25B127DSIGR——电子芯片

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明佳达电子、星际金华【长期供应】原装库存IC——CTN730EV（NFC无线充电发射器），ACAS2R0S331E09Y铝电解电容器、GD25B127DSIGR（NOR闪存存储器）。

CTN730EV：NFC 无线充电发射器，VFBGA-64

概述：

CTN730EV NFC无线充电发射器，它在单芯片中提供 NFC 读/写器、MCU 和软件。在 CTN732 的基础上，CTN730EV提供高达 848 kbit/s 的 4A 类标签卡仿真。CTN730EV在读写器模式下支持所有 NFC 论坛标签类型，在卡仿真模式下支持 4A 类标签，可用于手写笔、智能眼镜、可穿戴设备和可听设备等充电应用。

产品特性：

支持所有 NFC 论坛定义的标签

低功耗设备发现

1.25 W 发射功率

集成 Arm® Cortex®-M0、160kB 闪存、12 kB SRAM 和 4kB EEPROM

ACAS2R0S331E09Y：2V，330μF，导电性高分子片式铝电解电容器

概述：ACAS2R0S331E09Y——2V，330μF，ESR 9 晶片型导电高分子固态电容结合low ESR及小型化等优点，能在有空间有限制的的空间中进行高效率的电力传输。适用于DC/DC转换器、电压调节器等应用，在电脑计算领域能达到多种不同计算应用的产品需求。

产品规格：

工作温度范围: -55 to +105 ℃.

额定电压: 2 Vdc.

静电容量: 330μF

阻抗值: 9 mΩ

纹波电流: 6,300@105C (mArms)

耐久性: 105℃, rated voltage applied,2000 hrs.

高温高湿: 60℃, 90 to 95%RH, 500 hrs.

GD25B127DSIGR：128Mbit，SPI NOR闪存存储器IC，SOP-8

Flash类型：SPI NOR

电压：2.7V~3.6V

容量：128Mbit

每个可编程页 256 字节

快速编程/擦除速度

- 页编程时间：典型值 0.5ms

- 扇区擦除时间：典型值为 50ms

- 块擦除时间：0.16/0.3s（典型值

- 芯片擦除时间：典型值为 50s

灵活架构

- 4K 字节的统一扇区

- 32/64K 字节的统一块