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【明佳达电子、星际金华】三款原装芯片: 供应/回收——QPF4206、AON6407、TC58NVG1S3HBAI6。 QPF4206:2412MHz 至 2484MHz,Wi-Fi前端模块,QFN-16 AON6407:30V,P沟道MOSFET晶体管,DFN-8 TC58NVG1S3HBAI6:2Gbit,非易失NAND闪存存储器IC,VFBGA-67
【参数信息详情】明佳达供应/回收: QPF4206:2412MHz 至 2484MHz,Wi-Fi前端模块,QFN-16 概述: QPF4206B 是一款2.4GHz,Wi-Fi前端模块设计用于802.11ax系统,具有集成匹配,可最大限度地减小应用布局面积。该射频前端模块是超小型内置模块,集成了用于无线前端电路的各种功能元件。 产品特性: 宽范围集成直流电源检测器 POUT = +19dBm MCS11 HE40 -43dB动态EVM POUT = +21dBm MCS9 VHT40 -35dB动态EVM POUT = +22.5dBm MCS7 HT20 -30dB动态EVM POUT = +25dBm MCS0 HT20频谱模板适应性 工作频率范围:2412MHz至2484MHz 工作电源电压:+5V 33dB Tx增益 2.1dB噪声系数 15dB Rx增益和6dB旁路损耗 Rx路径上具有25dB 5GHz抑制能力
AON6407:30V,P沟道MOSFET晶体管,DFN-8 FET 类型:P 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A(Ta),85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小Rds On):6V,10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):105 nC @ 10 V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3505 pF @ 15 V 功率耗散(最大值):7.3W(Ta),83W(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线
TC58NVG1S3HBAI6:2Gbit,非易失NAND闪存存储器IC,VFBGA-67 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NAND(SLC) 存储容量:2Gb 存储器组织:256M x 8 存储器接口:并联 写周期时间 - 字,页:25ns 访问时间:25 ns 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:67-VFBGA
供应商器件封装:67-VFBGA(6.5x8)
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