TI 600mA MicroSiP™模块TPS82673SIPR、TPS82670SIPR与TPS826745SIPR现货

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TPS82673SIPR、TPS82670SIPR与TPS826745SIPR选型对比：600mA MicroSiP™模块的输出电压微差与功能边界


TPS82673SIPR、TPS82670SIPR与TPS826745SIPR同属（TI）TPS8267x系列的600mA MicroSiP™降压模块，这三款模块明佳达均有货在售，三者共享相同的封装尺寸（2.3 mm × 2.9 mm，厚度<1.0 mm）、5.5 MHz固定开关频率、90%效率、17 µA静态电流和2.3 V至4.8 V输入范围。它们的核心差异不在平台性能，而在输出电压的细微分级以及由输出电压派生出的功能选项差异：TPS826745输出1.225 V，TPS82673输出1.26 V，TPS82670输出1.86 V。三者之间不存在“性能高下”的横向竞争，选型的全部工作在于输出电压与负载需求的精确匹配，以及特定功能选项是否构成必要条件。

摘要
TPS8267x系列是TI面向低功耗便携应用的完整600mA DC/DC降压电源模块，封装内集成开关稳压器、电感器和输入/输出电容器，设计无需额外器件。三款器件均支持PFM/PWM自动切换（轻载PFM模式静态电流17 µA）、PWM展频调制、±2%总DC电压精度、≥35 dB PSRR（1 kHz至10 kHz） 、120 µs内部软启动、电流过载与热关断保护，总解决方案尺寸<6.7 mm²。

TPS826745SIPR的输出电压为1.225 V，TPS82673SIPR为1.26 V，TPS82670SIPR为1.86 V。三者均采用uSiP-8封装，工作温度-40°C至+85°C。选型时需注意：1.225 V与1.26 V之间35 mV的差异在部分数字负载的容差边界上可能构成有效的电压选择，而非可忽略的标称值偏移；TPS82670的1.86 V则面向需要更高电压轨的负载，同时带有低PFM输出纹波电压和输出电容放电功能。

产品概述
共同的平台基底：600mA MicroSiP™
三款器件同属TPS8267x家族，该家族被TI定义为“专门针对低功耗应用的完整600mA DC/DC降压电源”。MicroSiP™架构将开关稳压器、功率电感器和输入/输出电容全部集成在2.3 mm × 2.9 mm、厚度不到1.0 mm的BGA封装内，外部不需要额外的电感或电容即可完成设计。这一集成度使电源电路在可穿戴设备、TWS耳机、便携医疗仪器和空间受限的IoT节点中具备了被容纳的可能。

系列基于高频同步降压DC/DC转换器架构，针对电池供电的便携式应用优化，在5.5 MHz稳压开关频率下工作，轻负载时自动进入PFM省电模式以维持全负载范围内的高效率。对于噪声敏感的应用，器件提供PWM展频调制，降低输出和输入端的噪声；结合≥35 dB PSRR和AC负载调节性能，使其在部分场景中可以直接替代LDO而获得更高的转换效率。

三款型号的输出电压定位
TPS826745、TPS82673和TPS82670的差异首先体现在输出电压上。TPS826745SIPR为1.225 V，TPS82673SIPR为1.26 V，TPS82670SIPR为1.86 V。这些电压值并非随意分布，而是对应着不同代际和不同类别的数字负载核心电压或接口电压需求。

1.225 V与1.26 V之间的35 mV差值需要放在具体的负载容差语境中理解。如果目标负载的规格书要求核心电压为1.2 V ±5%（即1.14 V至1.26 V），TPS82673的1.26 V恰好落在容差上限，而TPS826745的1.225 V则处于容差带的中心附近，提供了向两侧的对称余量。如果负载要求的是1.25 V或1.26 V的标称值，TPS82673则是更直接的匹配。TPS82670的1.86 V面向的是需要接近1.8 V至1.9 V电压轨的负载，典型的落点包括某些I/O接口、模拟前端或特定制程节点的核心电压。

除输出电压外，器件比较表还显示了三者在功能选项上的差异：TPS82670明确列出了低PFM输出纹波电压和输出电容放电功能；TPS82673和TPS826745在比较表中标注了PWM展频调制，但“输出电容放电”与“低PFM纹波”的显式标注状态需要以具体型号的完整数据手册为准。对于需要在关断后快速泄放输出电容残余电荷的系统（例如要求电源轨在重新上电前处于已知状态），输出电容放电是一个需要单独确认的功能点，而不应假设系列内所有型号均默认具备。

技术特性
自动PFM/PWM切换与17 µA静态电流
三款器件的轻负载行为是相同的：PFM模式在轻载时自动启用，将静态电流降至17 µA（典型值） ，从而延长电池寿命；负载增加后切回PWM模式，保持低输出纹波和稳定的负载瞬态响应。对于以“休眠-突发采集”或“间歇通信”为节奏的便携设备，17 µA的待机电流在系统总休眠预算中处于可接受的水平。

PWM展频与噪声敏感场景
PWM展频调制（频率抖动） 是三款器件共享的EMI优化手段，通过将开关能量分散到更宽的频带上，降低特定频率点的传导和辐射噪声。配合≥35 dB的PSRR（1 kHz至10 kHz） ，器件在音频频段和低频电源噪声抑制方面具备替代LDO的潜力。在蓝牙音频、传感器模拟前端和射频模块供电中，这一特性可以减少对额外LC滤波器的依赖。

精度、启动与保护
±2%的总DC电压精度覆盖了线路、负载和温度变化的影响，对于固定输出模块而言，这一精度在大多数数字负载的容差范围内。120 µs的内部软启动限制了上电时的浪涌电流。电流过载保护和热关断则为异常条件提供了保护层。可选的集成有源断电排序功能允许在关断时按顺序关闭电源轨，但这一选项的具体可用性需以订购型号为准。

技术参数
TPS826745SIPR：输出电压1.225 V；输出电流600 mA；输入电压2.3 V至4.8 V；开关频率5.5 MHz；效率90%；静态电流17 µA；总DC精度±2%；封装uSiP-8（2.3 mm × 2.9 mm × 1.0 mm） ；解决方案尺寸<6.7 mm²；温度-40°C至+85°C；功能标注PWM展频调制（输出电容放电与低PFM纹波需按具体批次确认）。

TPS82673SIPR：输出电压1.26 V；输出电流600 mA；输入电压2.3 V至4.8 V；开关频率5.5 MHz；效率90%；静态电流17 µA；总DC精度±2%；封装uSiP-8（2.3 mm × 2.9 mm × 1.0 mm） ；温度-40°C至+85°C；功能标注PWM展频调制（输出电容放电与低PFM纹波需按具体批次确认）。

TPS82670SIPR：输出电压1.86 V；输出电流600 mA；输入电压2.3 V至4.8 V；开关频率5.5 MHz；效率90%；静态电流17 µA；总DC精度±2%；封装uSiP-8（2.3 mm × 2.9 mm × 1.0 mm） ；温度-40°C至+85°C；功能标注PWM展频调制、低PFM输出纹波电压、输出电容放电。

应用场景
TPS8267x系列的官方应用列表在三款型号之间是共享的：手机与智能手机、数字电视、WLAN、GPS和Bluetooth应用、负载点（POL）应用。更细化的应用描述还覆盖相机模块、光学数据模块、可穿戴电子、便携医疗设备和IoT设备。三款型号的差异不在于“能否用于这些场景”，而在于输出电压是否匹配具体负载的电压轨。

1.225 V与1.26 V（TPS826745/73） 的典型落点是低压数字核心：应用处理器内核、FPGA辅助电源轨、低电压SRAM或DDR接口。在这些场景中，输出电压的标称值和容差边界直接决定了负载能否正常工作。如果负载规格要求1.2 V ±5%，TPS826745的1.225 V提供了更对称的容差余量；如果负载标称值本身在1.25 V至1.26 V附近，TPS82673是更直接的选择。可穿戴设备和TWS耳机中的低功耗SoC核心也集中在这一电压区间。

1.86 V（TPS82670） 面向需要约1.8 V至1.9 V电压轨的负载：某些I/O接口、模拟电路或特定制程的处理器核心。输出电容放电功能在需要快速关断并重新上电的系统中具有实际意义——它确保电源轨在关断后迅速归零，避免残余电荷导致下次上电时的状态不确定性。低PFM输出纹波则在轻载待机时进一步压低输出噪声，适合对休眠状态下的电源纯净度有要求的传感器或射频前端。

总结
TPS82673SIPR、TPS82670SIPR与TPS826745SIPR共享600 mA MicroSiP™平台的全部核心性能：5.5 MHz开关频率、90%效率、17 µA静态电流、2.3 V至4.8 V输入范围、±2% DC精度和<6.7 mm²解决方案尺寸。它们之间的决策不是平台优劣的比较，而是输出电压标称值与负载容差带之间的精确对齐，以及低PFM纹波和输出电容放电功能是否构成必要条件。在固定输出模块的选型中，型号后缀即电压承诺，选型的精确性直接决定了电源轨能否在负载的全部工作条件下保持在容差范围内。